型号:SIRA02DP-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:PowerPAK? SO-8 | 描述:MOSFET N-CH 30V 50A SO-8 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V 50A SO-8 |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 50A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 2 毫欧 @ 15A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 117nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 6150pF @ 15V |
功率_最大 | 50W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
深圳市裕硕科技有限公司 | 雷小姐086-0755-23613962/82706142 |
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